半導体の成膜工程では、ウェハの表面に薄い膜を形成します。

半導体素子は多くの層から構成されていますが、

1. ウェハの表面に薄い膜を形成する
2. 不要部を溶かして除去する

これを繰り返すことで、層を形成していきます。

つまり、微細な半導体素子を作るには「均一で薄い膜」を形成する技術が重要です。

弊社の成膜サービスでは、薄膜・厚膜・反射膜・AR膜等の設計～試作、生産まで、幅広く対応しております。

ぜひ一度、ご相談くださいませ。

弊社のWafer

Wafer（ウェハ）とは、ICチップの材料となる半導体物質の結晶でできた円形の薄い板です。

ウェハの表面に成膜や露光、エッチングの加工をすることで、微細な回路パターンを形成できます。

弊社では、下記のウェハに対応しています。

8インチ	Si（シリコン） Quartz（石英） Glass（ガラス） 等
12インチ	Si（シリコン）

シリコンウェハやガラスウェハの販売もおこなっております。

お気軽にお問い合わせください。

弊社の成膜サービス

弊社では反射膜、AR膜等の設計・試作・生産のサービスを提供しています。

成膜手法について

PVD（物理気相成長）	薄膜としたい材料を加熱・スパッタ・イオンビーム照射など、物理的に蒸発・発散させます。これにより、ウェハの表面に物理的に堆積させる手法です。
ALD（原子層堆積）	ウェハを前駆体で覆い、ガスに反応させて、原子層を一層ずつ形成します。そのため、均一性が高く、ごく薄い成膜が可能です。
CVD（化学気相成長）	気体原料にエネルギーを与えて分子を解離させ、解離による生成物をウェハの表面に付着させる手法です。

材料について

材料	metal　各種 Oxide　各種
ALD材料	SiO2, TiO2, Al2O3, ZrO2, Nb2O3, ZnO, Al2O3-SiO2 またこれらの多層膜　他

※サンプル成膜もOK